Número de pieza del fabricante | DB102TB |
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Número de parte futuro | FT-DB102TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB102TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DB-M |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB102TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB102TB-FT |
GBJ2004TB
SMC Diode Solutions
GBJ2008TB
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GBJ25005TB
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GBJ2501TB
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GBJ2502TB
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GBJ2504TB
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LFEC1E-3T144I
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EPF6016ATC100-2
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EP4CE22F17C8LN
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EPF10K100EFC256-2X
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EP3SE110F1152I4
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XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL060V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40I1SG
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