Número de pieza del fabricante | DB101TB |
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Número de parte futuro | FT-DB101TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB101TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DB-M |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB101TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB101TB-FT |
GBJ2002TB
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GBJ2004TB
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GBJ2008TB
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GBJ25005TB
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GBJ2501TB
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GBJ2502TB
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GBJ2504TB
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GBJ35005TB
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GBJ3501TB
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LFEC3E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-L2FFVE1517E
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256
Microsemi Corporation
10M16DCF484A7G
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5SGTMC5K2F40I2N
Intel
5SEE9H40I2N
Intel
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel