casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ2002TB
Número de pieza del fabricante | GBJ2002TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ2002TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2002TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 20A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2002TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2002TB-FT |
GBU805 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU606 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1007 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L05 D2G
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GBU15L06 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607HD2G
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GBU801 D2G
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GBU801HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A15T-L1FTG256I
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XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
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EP1S25F672C6
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LFE2M100E-6FN900I
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10AX115H3F34I2SGE2
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5AGXFB1H4F35I5G
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10AX027E1F27E1SG
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