casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C25632KV18-500BZXC
Número de pieza del fabricante | CY7C25632KV18-500BZXC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C25632KV18-500BZXC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C25632KV18-500BZXC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Tamaño de la memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frecuencia de reloj | 500MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C25632KV18-500BZXC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C25632KV18-500BZXC-FT |
CY7C1525KV18-300BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C15632KV18-500BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1568KV18-400BZC
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CY7C2170KV18-550BZXC
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Cypress Semiconductor Corp
CY7C25682KV18-550BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C25702KV18-400BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C25702KV18-500BZXC
Cypress Semiconductor Corp
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel