casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C25632KV18-500BZXC
Número de pieza del fabricante | CY7C25632KV18-500BZXC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C25632KV18-500BZXC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C25632KV18-500BZXC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Tamaño de la memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frecuencia de reloj | 500MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C25632KV18-500BZXC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C25632KV18-500BZXC-FT |
CY7C1525KV18-300BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C15632KV18-500BZXI
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CY7C25702KV18-400BZC
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CY7C25702KV18-500BZXC
Cypress Semiconductor Corp
EPF10K30ATI144-3N
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A54SX32A-2FGG484I
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LFE2-70E-6FN900I
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A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel