casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C25652KV18-400BZI
Número de pieza del fabricante | CY7C25652KV18-400BZI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C25652KV18-400BZI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C25652KV18-400BZI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Tamaño de la memoria | 72Mb (2M x 36) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C25652KV18-400BZI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C25652KV18-400BZI-FT |
S34MS01G204TFI013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100TFI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G204TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFI000
Cypress Semiconductor Corp
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation