casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C2170KV18-550BZXC
Número de pieza del fabricante | CY7C2170KV18-550BZXC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C2170KV18-550BZXC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C2170KV18-550BZXC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Tamaño de la memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frecuencia de reloj | 550MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C2170KV18-550BZXC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C2170KV18-550BZXC-FT |
S34MS01G200TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204TFI013
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S34MS02G100TFI000
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S34MS02G200TFI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFV003
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S34MS02G204TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFB000
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