casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C2170KV18-400BZXC
Número de pieza del fabricante | CY7C2170KV18-400BZXC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C2170KV18-400BZXC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C2170KV18-400BZXC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Tamaño de la memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C2170KV18-400BZXC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C2170KV18-400BZXC-FT |
CY7C1365C-133BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1371DV33-133BZI
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CY7C1414KV18-300BZXC
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CY7C1414KV18-300BZXI
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CY7C1418KV18-300BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1420KV18-300BZXC
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CY7C1423KV18-300BZC
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XC7A50T-3FGG484E
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M1AGL1000V5-FGG484
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A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
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XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel