casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1418KV18-300BZC
Número de pieza del fabricante | CY7C1418KV18-300BZC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1418KV18-300BZC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1418KV18-300BZC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II |
Tamaño de la memoria | 36Mb (2M x 18) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1418KV18-300BZC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1418KV18-300BZC-FT |
S34ML08G201TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI200
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI203
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFA003
Cypress Semiconductor Corp
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel