casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1414KV18-300BZXI
Número de pieza del fabricante | CY7C1414KV18-300BZXI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1414KV18-300BZXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1414KV18-300BZXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 36Mb (1M x 36) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1414KV18-300BZXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1414KV18-300BZXI-FT |
S34ML08G101TFI203
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI200
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI203
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFA000
Cypress Semiconductor Corp
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel