casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1412BV18-250BZXC
Número de pieza del fabricante | CY7C1412BV18-250BZXC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1412BV18-250BZXC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1412BV18-250BZXC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 36Mb (2M x 18) |
Frecuencia de reloj | 250MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1412BV18-250BZXC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1412BV18-250BZXC-FT |
CY7C1643KV18-450BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1665KV18-450BZXC
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CY7C1612KV18-360BZXC
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CY7C1614KV18-300BZC
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CY7C1614KV18-333BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1612KV18-300BZXC
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CY14V116G7-BZ30XI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1613KV18-300BZI
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel