casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1612KV18-360BZXC
Número de pieza del fabricante | CY7C1612KV18-360BZXC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1612KV18-360BZXC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1612KV18-360BZXC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 144Mb (8M x 18) |
Frecuencia de reloj | 360MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1612KV18-360BZXC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1612KV18-360BZXC-FT |
S29GL512S10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS40
Cypress Semiconductor Corp
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel