casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1614KV18-300BZC
Número de pieza del fabricante | CY7C1614KV18-300BZC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1614KV18-300BZC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1614KV18-300BZC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 144Mb (4M x 36) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1614KV18-300BZC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1614KV18-300BZC-FT |
S29GL512S10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS43
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS50
Cypress Semiconductor Corp
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel