casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY62167GE30-45BVXI
Número de pieza del fabricante | CY62167GE30-45BVXI |
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Número de parte futuro | FT-CY62167GE30-45BVXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MoBL® |
CY62167GE30-45BVXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62167GE30-45BVXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY62167GE30-45BVXI-FT |
DS1249Y-70#
Maxim Integrated
DS1245AB-70+
Maxim Integrated
DS1245W-100+
Maxim Integrated
DS1250AB-70+
Maxim Integrated
DS1245Y-85+
Maxim Integrated
DS1250Y-70IND+
Maxim Integrated
DS1245AB-70IND+
Maxim Integrated
DS1250Y-70+
Maxim Integrated
DS1250W-150+
Maxim Integrated
DS1249Y-100#
Maxim Integrated
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel