casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1250Y-70+
Número de pieza del fabricante | DS1250Y-70+ |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DS1250Y-70+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1250Y-70+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1250Y-70+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1250Y-70+-FT |
IDT71V124SA20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
MCM69C432TQ20
NXP USA Inc.
MR2A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AYS35
Everspin Technologies Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel