casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MR2A08ACYS35
Número de pieza del fabricante | MR2A08ACYS35 |
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Número de parte futuro | FT-MR2A08ACYS35 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR2A08ACYS35 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | RAM |
Tecnología | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR2A08ACYS35 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MR2A08ACYS35-FT |
71V124SA12TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel