casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1249Y-70#
Número de pieza del fabricante | DS1249Y-70# |
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Número de parte futuro | FT-DS1249Y-70# |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1249Y-70# Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 2Mb (256K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 32-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1249Y-70# Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1249Y-70#-FT |
IDT71V124SA20TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel