casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / CJ3139KDW-G
Número de pieza del fabricante | CJ3139KDW-G |
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Número de parte futuro | FT-CJ3139KDW-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CJ3139KDW-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 660mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 170pF @ 16V |
Potencia - max | 150mW |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CJ3139KDW-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CJ3139KDW-G-FT |
DMP1055UFDB-7
Diodes Incorporated
DMN3055LFDB-7
Diodes Incorporated
DMC1028UFDB-7
Diodes Incorporated
DMN2050LFDB-13
Diodes Incorporated
DMC1029UFDB-7
Diodes Incorporated
DMC1030UFDB-7
Diodes Incorporated
DMP2065UFDB-7
Diodes Incorporated
DMN3032LFDBQ-7
Diodes Incorporated
DMP2060UFDB-7
Diodes Incorporated
DMC1028UFDB-13
Diodes Incorporated
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel