casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMN3055LFDB-7
Número de pieza del fabricante | DMN3055LFDB-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN3055LFDB-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3055LFDB-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 458pF @ 15V |
Potencia - max | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type B) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3055LFDB-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN3055LFDB-7-FT |
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Microsemi Corporation
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EP20K200EFC484-2
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EP20K200FI484-2V
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EP4SGX230KF40I3N
Intel
XA7A100T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation