casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIH03T3N3SNC
Número de pieza del fabricante | CIH03T3N3SNC |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIH03T3N3SNC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH03T |
CIH03T3N3SNC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 3.3nH |
Tolerancia | ±0.3nH |
Valoración actual | 200mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 300 mOhm Max |
Q @ Freq | 5 @ 100MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 6.7GHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0201 (0603 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03T3N3SNC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIH03T3N3SNC-FT |
CIG21L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201206EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel