casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT201206EH1R0MNE
Número de pieza del fabricante | CIGT201206EH1R0MNE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIGT201206EH1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201206EH1R0MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.8A |
Corriente - Saturación | 2.4A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 110 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.024" (0.60mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201206EH1R0MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGT201206EH1R0MNE-FT |
CIGW252010GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM2R2MSE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM1R0SLE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252012GM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC6SLX100-N3FG676I
Xilinx Inc.
5SGXEA5N3F40I4N
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP4CE75F29I7N
Intel
EP20K100EQC208-1X
Intel
EPF10K30EQC208-2X
Intel