casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGW252010GM1R0SNE
Número de pieza del fabricante | CIGW252010GM1R0SNE |
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Número de parte futuro | FT-CIGW252010GM1R0SNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW252010GM1R0SNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±0.3nH |
Valoración actual | - |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GM1R0SNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGW252010GM1R0SNE-FT |
CIH05T1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N5CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N8CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N8SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4SNC
Samsung Electro-Mechanics
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel