casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGW252012GM2R2MNE
Número de pieza del fabricante | CIGW252012GM2R2MNE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIGW252012GM2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW252012GM2R2MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | - |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252012GM2R2MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGW252012GM2R2MNE-FT |
CIH05T2N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N4SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N7CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N3CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N6CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N9CNC
Samsung Electro-Mechanics
A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8
Intel
XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel
EP1S10F780I6
Intel