casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIG21L1R2MNE
Número de pieza del fabricante | CIG21L1R2MNE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIG21L1R2MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG21L |
CIG21L1R2MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 1.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.1A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 125 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21L1R2MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIG21L1R2MNE-FT |
CIGT252010LM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010EH4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010EH4R7SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU095-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
XC3S200-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
APA300-FGG256A
Microsemi Corporation
APA600-FGG256A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152I4N
Intel
XC4010E-4HQ208C
Xilinx Inc.