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Número de pieza del fabricante | CIGW252010GL1R0MNE |
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Número de parte futuro | FT-CIGW252010GL1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW252010GL1R0MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 3.3A |
Corriente - Saturación | 3.7A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GL1R0MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGW252010GL1R0MNE-FT |
CIH05QR15JNC
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CIH05T1N8SNC
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XC6SLX100T-4FGG900C
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XC3S400-4PQG208C
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LCMXO3LF-1300E-5UWG36CTR1K
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ICE5LP1K-SWG36ITR50
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EP4CGX75DF27I7N
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EPF10K30EFC484-2X
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EP4SE360H29C2
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Xilinx Inc.
EP2S130F1020C5N
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