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Número de pieza del fabricante | CIGW252010GL1R0MNE |
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Número de parte futuro | FT-CIGW252010GL1R0MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW252010GL1R0MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 3.3A |
Corriente - Saturación | 3.7A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GL1R0MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGW252010GL1R0MNE-FT |
CIH05QR15JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR18JNC
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CIH05QR22JNC
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CIH05T1N0CNC
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CIH05T1N0SNC
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CIH05T1N5CNC
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CIH05T1N8CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N8SNC
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel