casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT201210UMR47MNE
Número de pieza del fabricante | CIGT201210UMR47MNE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIGT201210UMR47MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201210UMR47MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 470nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 3.3A |
Corriente - Saturación | 3A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UMR47MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGT201210UMR47MNE-FT |
CIGT252007LM3R3MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
AGLE600V2-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel