casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT252010LM2R2MNE
Número de pieza del fabricante | CIGT252010LM2R2MNE |
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Número de parte futuro | FT-CIGT252010LM2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT252010LM2R2MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2.1A |
Corriente - Saturación | 2.8A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 97 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252010LM2R2MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGT252010LM2R2MNE-FT |
CIH05T47NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T4N3CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T4N7CNC
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CIH05T5N1SNC
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CIH05T7N5SNC
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CIH05T82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel