casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGW252010GLR68MNE
Número de pieza del fabricante | CIGW252010GLR68MNE |
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Número de parte futuro | FT-CIGW252010GLR68MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGW |
CIGW252010GLR68MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 680nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 5.2A |
Corriente - Saturación | 4.2A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 29 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GLR68MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGW252010GLR68MNE-FT |
CIH05T5N6CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T6N2CNC
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CIH05T7N5JNC
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CIH05T9N1JNC
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CIGW404012GMR47MLE
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CIGW404012GM1R0MLE
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CIG32H2R2MNE
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LFE2-6SE-5TN144C
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XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel