casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIG21F1R0MNC
Número de pieza del fabricante | CIG21F1R0MNC |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CIG21F1R0MNC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIG21F |
CIG21F1R0MNC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 800mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 190 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG21F1R0MNC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIG21F1R0MNC-FT |
CIGT252012LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GLR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610EH2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201610LHR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel