casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CIGT201610EH2R2MNE
Número de pieza del fabricante | CIGT201610EH2R2MNE |
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Número de parte futuro | FT-CIGT201610EH2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201610EH2R2MNE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2.5A |
Corriente - Saturación | 2.9A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 87 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610EH2R2MNE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CIGT201610EH2R2MNE-FT |
CIH05T82NJNC
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EPF6024ATC144-2N
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XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-1PQ208
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5SGXMA3E3H29C3N
Intel
5SEE9H40C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C2N
Intel
AGL400V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35C2LN
Intel