casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / C3M0280090J
Número de pieza del fabricante | C3M0280090J |
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Número de parte futuro | FT-C3M0280090J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C3M™ |
C3M0280090J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 15V |
Vgs (Max) | +18V, -8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 150pF @ 600V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 50W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK-7 |
Paquete / Caja | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3M0280090J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | C3M0280090J-FT |
DMN2022UFDF-7
Diodes Incorporated
DMT2004UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN2028UFDF-7
Diodes Incorporated
DMT5015LFDF-7
Diodes Incorporated
DMN3021LFDF-7
Diodes Incorporated
DMT3008LFDF-7
Diodes Incorporated
DMP1009UFDF-7
Diodes Incorporated
DMP2035UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN1008UFDF-7
Diodes Incorporated
DMT5015LFDF-13
Diodes Incorporated
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation