casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMT5015LFDF-7
Número de pieza del fabricante | DMT5015LFDF-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMT5015LFDF-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMT5015LFDF-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 50V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 902.7pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 820mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-UDFN2020 (2x2) |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT5015LFDF-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMT5015LFDF-7-FT |
2N7002W-7-F
Diodes Incorporated
BSS138W-7-F
Diodes Incorporated
DMN3065LW-7
Diodes Incorporated
DMP2004WK-7
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DMG1013UW-7
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DMN67D8LW-7
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DMN2065UW-7
Diodes Incorporated
LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel