casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN1008UFDF-7
Número de pieza del fabricante | DMN1008UFDF-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN1008UFDF-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMN1008UFDF-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 23.4nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 995pF @ 6V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 700mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type F) |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN1008UFDF-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN1008UFDF-7-FT |
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5SGXEB6R3F40I3L
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.