casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / C3M0280090J-TR
Número de pieza del fabricante | C3M0280090J-TR |
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Número de parte futuro | FT-C3M0280090J-TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C3M™ |
C3M0280090J-TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 15V |
Vgs (Max) | +18V, -8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 150pF @ 600V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 50W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK-7 |
Paquete / Caja | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3M0280090J-TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | C3M0280090J-TR-FT |
DMT3020LFDF-7
Diodes Incorporated
DMN2022UFDF-7
Diodes Incorporated
DMT2004UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN2028UFDF-7
Diodes Incorporated
DMT5015LFDF-7
Diodes Incorporated
DMN3021LFDF-7
Diodes Incorporated
DMT3008LFDF-7
Diodes Incorporated
DMP1009UFDF-7
Diodes Incorporated
DMP2035UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN1008UFDF-7
Diodes Incorporated
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
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