casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52C11-HE3-08
Número de pieza del fabricante | BZT52C11-HE3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZT52C11-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C11-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 6 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 8.5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C11-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52C11-HE3-08-FT |
BZT52B3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B43-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40HX1K-TQ144
Lattice Semiconductor Corporation
AX500-1FGG484M
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PLG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2N
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel
EP1S30F780C7N
Intel