casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B3V9-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZT52B3V9-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZT52B3V9-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B3V9-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B3V9-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52B3V9-HE3-18-FT |
BZT52B11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B13-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B13-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B13-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel