casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B3V9-G3-08
Número de pieza del fabricante | BZT52B3V9-G3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZT52B3V9-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B3V9-G3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 410mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B3V9-G3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZT52B3V9-G3-08-FT |
BZT52B11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4013E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-1VQ100I
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C3N
Intel
5SGSMD6N3F45I4N
Intel
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
AGL400V2-CSG196I
Microsemi Corporation
EP4SGX230FF35C3ES
Intel