casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B30P-HE3-08
Número de pieza del fabricante | BZD27B30P-HE3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27B30P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B30P-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 22V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B30P-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27B30P-HE3-08-FT |
BZD27B10P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1TQG144I
Xilinx Inc.
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA7N3F45C2
Intel
5SGXEA7H2F35I3L
Intel
5SGXMA4K2F35C2LN
Intel
XC7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H1F34I1SG
Intel
5SGSMD4H3F35C2LN
Intel