casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B110P-HE3-08
Número de pieza del fabricante | BZD27B110P-HE3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27B110P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B110P-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 250 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 82V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B110P-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27B110P-HE3-08-FT |
BZD27C3V6P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C110P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C110P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C11P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV300E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1517C
Xilinx Inc.
APA300-BGG456
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7K2F35C2LN
Intel
5SGSMD5H1F35C1N
Intel
XC4003E-2PC84C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
10AX066K4F35E3LG
Intel