casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B110P-M3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27B110P-M3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27B110P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B110P-M3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 250 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 82V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B110P-M3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27B110P-M3-18-FT |
BZD27C82P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C110P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C110P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C11P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C11P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C120P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-09VQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
10CX105YU484E5G
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX155T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CPG236I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F31C6N
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel