casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B110P-M3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27B110P-M3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27B110P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B110P-M3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 250 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 82V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B110P-M3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27B110P-M3-18-FT |
BZD27C82P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C110P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C110P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C11P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C11P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C120P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA676I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-1FGG484M
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1N
Intel
EP20K100EFC144-2N
Intel
5SGXEB5R2F43I3L
Intel
EP4SE360F35C2N
Intel
XC4VLX40-10FFG1148I
Xilinx Inc.