casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B200P-HE3-18
Número de pieza del fabricante | BZD27B200P-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD27B200P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B200P-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 200V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 500 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B200P-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD27B200P-HE3-18-FT |
BZD17C68P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V8P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C6V8P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C75P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C75P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C7V5P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C7V5P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C82P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE5U-45F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6E22C9LN
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7VX485T-2FF1157I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
10AX115U3F45I2SGE2
Intel
EP20K400ERC240-1
Intel