casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C6V2P-E3-18
Número de pieza del fabricante | BZD17C6V2P-E3-18 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BZD17C6V2P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C6V2P-E3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 2V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C6V2P-E3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD17C6V2P-E3-18-FT |
BZD27C16P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C7V5P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C24P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C18P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
APA300-FG144I
Microsemi Corporation
A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
5SGSMD8K2F40C3N
Intel
10AX032H4F35I3LG
Intel
XC6SLX9-3CSG225I
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FGG676I
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2M13C7N
Intel
EP20K200RC240-1N
Intel