casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C6V8P-E3-18
Número de pieza del fabricante | BZD17C6V8P-E3-18 |
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Número de parte futuro | FT-BZD17C6V8P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C6V8P-E3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolerancia | - |
Potencia - max | 800mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 3V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C6V8P-E3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BZD17C6V8P-E3-18-FT |
BZD27C7V5P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C24P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C18P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B18P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.