casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYG10G-E3/TR
Número de pieza del fabricante | BYG10G-E3/TR |
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Número de parte futuro | FT-BYG10G-E3/TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYG10G-E3/TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10G-E3/TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYG10G-E3/TR-FT |
VS-3EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3N50-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5N50-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel