casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VSSAF3N50-M3/6B
Número de pieza del fabricante | VSSAF3N50-M3/6B |
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Número de parte futuro | FT-VSSAF3N50-M3/6B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF3N50-M3/6B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2.7A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 400mV @ 1.5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 570pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF3N50-M3/6B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VSSAF3N50-M3/6B-FT |
VF20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel