casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VSSAF5N50-M3/6B
Número de pieza del fabricante | VSSAF5N50-M3/6B |
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Número de parte futuro | FT-VSSAF5N50-M3/6B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF5N50-M3/6B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 410mV @ 2.5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1.4mA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 850pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF5N50-M3/6B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VSSAF5N50-M3/6B-FT |
VF30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120SG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel