casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VF20120SG-E3/45
Número de pieza del fabricante | VF20120SG-E3/45 |
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Número de parte futuro | FT-VF20120SG-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VF20120SG-E3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.33V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF20120SG-E3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VF20120SG-E3/45-FT |
MMBD914-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
IMBD4148-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAL99-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel