casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAS21-E3-08
Número de pieza del fabricante | BAS21-E3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BAS21-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS21-E3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21-E3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS21-E3-08-FT |
VS-SD803C12S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD803C14S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD803C16S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C12S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C12S30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C20S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C25S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C25S30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PH6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation