casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUZ73LHXKSA1
Número de pieza del fabricante | BUZ73LHXKSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BUZ73LHXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BUZ73LHXKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 3.5A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 840pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 40W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUZ73LHXKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUZ73LHXKSA1-FT |
IPP023NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
SPP17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP50R140CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP057N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP50N10S3L16AKSA1
Infineon Technologies
IPP020N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPP80N06S209AKSA2
Infineon Technologies
IPP80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP200N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel