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Infineon Technologies BUZ73LHXKSA1

Número de pieza de MFG
BUZ73LHXKSA1
Cantidad disponible
61520 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BUZ73LHXKSA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 840pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUZ73LHXKSA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BUZ73LHXKSA1-FT

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