casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPP020N06NAKSA1
Número de pieza del fabricante | IPP020N06NAKSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPP020N06NAKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP020N06NAKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 29A (Ta), 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 143µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7800pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3W (Ta), 214W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP020N06NAKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPP020N06NAKSA1-FT |
IRFP4468PBF
Infineon Technologies
IRFP048NPBF
Infineon Technologies
IRFP4368PBF
Infineon Technologies
IRFP3703PBF
Infineon Technologies
IRFP4321PBF
Infineon Technologies
IRFP4768PBF
Infineon Technologies
IRFP4110PBF
Infineon Technologies
IRFP3415PBF
Infineon Technologies
IRFP140NPBF
Infineon Technologies
IRFP2907PBF
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel