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Infineon Technologies IPP023NE7N3GXKSA1

Name: IPP023NE7N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP023NE7N3GXKSA1
Price: 5.152 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (612 reviews)

Número de pieza de MFG: IPP023NE7N3GXKSA1

Cantidad disponible: 39620 Piezas

Precio de referencia: USD 5.152

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 75V 120A TO220

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPP023NE7N3GXKSA1.pdf

IPP023NE7N3GXKSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPP023NE7N3GXKSA1
Número de parte futuro	FT-IPP023NE7N3GXKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPP023NE7N3GXKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	75V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 273µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	206nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	14400pF @ 37.5V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3-1
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP023NE7N3GXKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPP023NE7N3GXKSA1-FT

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